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Typical Characteristics
10
200
I D = 1.0A
V DS = 30V
50V
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
70V
150
6
100
4
50
2
0
0
C RSS
C OSS
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ s
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
0.1
V GS = 10V
DC
20
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 180°C/W
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC3601N Rev C(W)
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